Friday, December 2, 2016

Memakai TC4420 high speed mosfet driver (Low-Side)

TC4420 adalah IC mosfet driver yang lumayan handal dipakai untuk mendrive mosfet pada sisi low side. Saya pernah coba pada sisi high side namun gagal. Untuk menggunakan IC ini pada sisi high side perlu isolasi power suply dan isolasi signal, jadi mampu bekerja dengan baik. namun isolasi signal dengan optocoupler kelemahanya pada sisi kecepatan, maksimal sesuai kecepatan dari optocoupler. Isolasi signal bisa juga mengunakan mosfet atau transistor, dengan prinsip kerja pembagi tegangan, dengan pull down resistor sebagai acuan dari voltage devider. Jadi delay lebih lama. Kemampuan IC ini mampu mendrive mosfet sampai 10000pf atau 10n. Angka tersebut biasanya dimiliki oleh mosfet dengan rating ampere besar. Atau biasanya logic gate mosfet. IRLB series. Ada juga yang 13000pf milik IXYS100N50. Jadi driver ini memiliki kemampuan yang handal. Untuk inverting bisa memakai TC4429. Untuk membuat driver mosfet yang setara diperlukan 3 mosfet dan 2 OP-Amp, sesuai dengan block diagram IC tersebut. Mosfet logic pada intput, dan dua mosfet totem pole, N dan P pada outputnya. Saya pernah coba drive mosfet type IXYS21N50, 150N17, Irf3205, IrfZ44 dan yang terkahir IXYS100N50 (100A-500V-Pd1500W-Rdson50 mOhm). Performa terbaik IC didapat pada tegangan 15Volt. Sedangan input minimal pada 4,8Volt VCC(internal zener clamp 4,8V) Dibandingkan dengan metode bootstrap capacitor, yang lebih murah, namun memiliki keterbatasan pada tegangan input yang mendekati output dibawah 2volt (sehingga mosfet saturation).
 Pada mosfet generasi terbaru, Sic (silicon carbid) dan Gan (Galium) memiliki charging gate (Qg) atau berkaitan dengan Ciss yang rendah. Paling rendah dimiliki direct FET untuk system audio, yaitu dengan minimum gate charge, untuk menghindari ringing. Sekitar dibawah 400pf untuk Gan fet yang 5 ampere, sedangkan yang beredar di pasaran sejak lama, misalnya IRFZ44 di angka sekitar 1800pf. Itulah yang membuat mosfet Galium memiliki swiching yang sangat cepat 1-10ns. Untuk Sic mosfet, gate charge diminimalisir dibandingkan generasi sebelumnya. Namun masih diatas Gan FET untuk Cissnya sekitar 1000pf.

No comments:

Post a Comment