High Performance BootStrap Capacitor use Low Side Driver (TC4420) with capacitif signal isolation

          Mendrive mosfet salah satu caranya dengan prinsip bootstrap capacitor. Namun memiliki kendala performa yang duty cyclenya terbatas. Berbeda dengan prinsip transformer power suply isolation. Memiliki rentang waktu yang lebar bahkan sangat cepat, bila memakai power suply yang tepat. Kali ini saya akan uraikan cara mendrive mosfet dengan prinsip bootstrap namun memiliki performa yang handal dengan performa yang sedikit dibawah transformer isolation. IC yang dipakai TC4420. Sesuai datasheet IC mampu mendrive sampai 10.000pf. Rentang tegangan juga lebih lebar antara 4,8-18Volt. Jauh lebih lebar daripada IC yang memakai bootstap principle biasanya. Biasanya hanya berkisar 10-15volt. Saya sudah test dengan arduino PWM dengan duty cycle 5-95%. Mosfet yang dipakai type IRFZ44. Ciss 1800pf. PSU Accu 12Volt. Load LED DC 3Watt. Controller Arduino-Uno.PWM pin 9 yang dipakai. Memakai program dimer LED.

 Kemampuan yang lebih baik daripada bootstrap yang biasa, namun rentang duty cycle yang lebar, dengan kelebihan low side driver. Tegangan suply bisa dicheck dengan memeriksa tegangan pada bootstrap capacitor. Semakin tinggi nilai bootstrap capacitor maka tegangan suply IC akan semakin stabil (voltage-Riple & noise). Saya pernah coba dengan 4700uf. Voltage ripple lebih rendah daripada memakai 220uf.
Prinsip ini menawarkan biaya yang lebih murah daripada menggunakan prinsip Isolation power suply. Signal isolation memberikan safety lebih baik bagi sumber signal, biasanya mikrokontroler. Pemahaman teori sangat penting. Teori akan diuji dengan praktek. Hasil akhir dari praktek akan menentukan apakah teori itu benar atau salah. Apabila ada kesalahan penulis itu semua karena penulis hanya manusia biasa, yang tidak luput dari kesalahan. Mohon maaf bila ada kesalahan. Wasalamualaikum wr.wb.Selamat mencoba.Semoga berhasil menemukan apa yang anda cari.

Kendala Perdagangan antar negara dengan multi regulasi pajak dan solusinya.

Ini adalah situasi yang pernah saya alami sebagai engineer dan costing(estimator) produk, tidak hanya sekali namun berulangkali. Mungkin teman2 yang lain atau bahkan pengusaha atau importir bahkan negara yang super power sekalipun kewalahan dengan fenomena ini.

Contoh kasus yang saya alami adalah pembuatan mechanism untuk kursi dengan besi. PT.XX di suatu kawasan industri bogor. Harga estimsi material dengan ketelitian gram sekitar 5kg. Jadi Harga Bahan baku sekitar 35rb. Ongkos tenaga kerja, powder coating, procces machining dan las sekitar 15rb/pcs. Ditambah PPN dan margin harganya menjadi sekitar 85-90rb. Untuk orang awam mungkin harga sedemikian termasuk sudah murah. Tetapi untuk produksi ribuan unit akan berbeda halnya. Sedangkan pemilik usaha pasti akan membuat keputusan membuat atau membeli (make-or-buy). Untuk membuat pasti butuh tool/Investasi. Sedangkan membeli hanya cukup langsung impor saja. Apalagi untuk kawasan berikat dengan ijin lengkap pasti akan sangat mudah impor. Selanjutnya keputusan dibuat berdasarkan harga. 

Import 5USD sedangkan produksi sendiri 6,5-7USD. Si pengusaha pasti akan langsung mengambil keputusan untuk impor. 

Selanjutnya kenapa bisa import lebih murah?. Pertanyaan ini membutuhkan penjabaran yang panjang. Secara sederhana, proses produksi dimulai dari bahan baku langsung, tidak langsung dan unsur lain sehingga tercipta struktur harga. Material dasar untuk produksi unsur dasar yang mempengaruhi harga. Selanjutnya Volume produksi akan berpengaruh di effisiensi tooling/peralatan. Penggunaan alat yang hemat daya akan berpengaruh jangka panjang perusahaan. Production Planning yang tepat dan meminimalisir overheat bahan baku produksi. Upah buruh dapat mempengaruhi 5% harga barang. Untuk proses logistik yang effisient langsung terkoneksi port to port. Rantai distribusi yang pendek akan meminimalisir peningkatan harga dari produsen ke konsumen. Penggunaan mesin otomatis akan mempercepat proses produksi, namun jumlah variant produk akan terbatas dan membutuhkan extra time untuk setup produk baru. 

Penjabaran selanjutnya, Kalau semua sudah sama kenapa membeli barang di negara XX koq tetap lebih murah?. Nah ini menarik untuk ditelusuri. Struktur pajak progresif dan single tax option terkadang terlewat dari pengamatan kita. Contoh kasus selanjutnya untuk single tax option adalah xxx solar. Pabrikan XXX solar adalah contoh perusahaan yang menggunakan single tax option(menurut pengamatan saya saja). Pabrik ini mempunyai teknologi canggih yang terintegrasi, mulai pengolahan pasir menjadi solar cell. Pengolahan aluminium dan extruder, injection palstik dll serta semua industri pendukung untuk membuat sebuah produk finish good. Maka produk output untuk PT xx sudah berupa produk consumer yang siap pakai. hanya dengan membayar satu kali pajak. Berbeda halnya dengan PP YY yang membeli produk pendukung produksi dari PT lain. Maka, PT yang produknya dibeli PT YY pasti sudah membayar pajak pada harga barangnya. Jadi untuk persaingan harga pasti PT YY akan kalah dalam jangka panjang karena struktur pajak yang panjang untuk mensuply unit produksinya(prograsif). 

Selanjutnya setelah struktur pajak sama, kenapa setelah struktur pajak sama, koq tetap beli disana lebih murah juga? lebih rumit lagi ini, Untuk faktor produksi sudah kita bahas. struktur pajak sudah, selajutnya insentif pajak ekspor dan energy. Meskipun kecil tapi ini sangat berpengaruh terutama untuk pemain besar. Seperti consumer dengan penjualan yang besar untu suply negara maju. 

Kesenjangan sistem, metode pajak, faktor produksi, insentif dll, adalah struktur komplek elemen perdanganan yang membentuk harga produk lintas negara. Elemen yang diluar faktor produksi terkadang memegang peranan dominan dalam faktor kenaikan harga produk.Namun keputusan ada di tangan konsumen selaku pembeli.Konsumen selaku pembeli ingin mendapatkan harga terbaik, dan kualitas yang bagus. Lalu regulasi adalah kuncinnya. Implementasi regulasi sangat penting untuk membentuk struktur perdagangan yang fair bukan yang free(Oleh Regulator Perdagangan Antar Negara) dan ditaati pelaku perdagangan itu sendiri.

Checking performance mosfet gate driver simple(mengecheck performa gate driver mosfet)

 Apakah mosfet driver yang saya atau anda pakai sudah bekerja dengan maksimal atau belum. Terkadang pertanyaan ini muncul setelah dilakukan pengetesan system total, namun terjadi system yang tidak seimbang. Misalnya panas berlebih, tegangan tidak tercapai, atau bahkan terbakar. Untuk mencegah hal itu saya berbagi tips sedikit untuk memeriksa kemampuan driver mosfet pada saat frekuensi sangat rendah. Gunakan arduino uno program blinking untuk mendrive mosfet. Check tegangan output dengan Avometer. Mosfet driver yang sudah bekerja dengan baik akan memiliki drop tegangan sangat rendah bila tanpa beban. Gunakan sumber power suply 12volt tanpa riple untuk pengujian. Misalnya aki atau battery. Battery dengan tegangan 13,2 volt. Seharusnya tegangan output mosfet tanpa beban akan drop dibawah 0,1 Volt. Apabila open circuit tegangan drop lebih dari 0,1 volt, maka mosfet mengalami fasa belum totally turn on. Sehingga resistansi lebih dari Rds on mosfet sesuai datasheet. Sifat mosfet akan mengalami kenaikan resistansi pada saat suhu naik. Namun minimal kita bisa cegah dengan mengetahui performa driver pada saat low frequency. misalnya on off dengan delay 500ms, 1s. Saya coba drive mosfet pada sisi tinggi(High Side) dan Sisi rendah (Low Side) type IRFZ44. Pada sisi rendah mosfet driver mampu bekerja dengan sempurna dengan drop tegangan dibawah 0,1volt. Namun pada saat saya rubah diposisi tinggi(high side) drop tegangan sampai 0,5 volt. Jadi Resistansi mosfet naik pada saat say konfigurasi high side. Maka dari itu kebanyakan aplikasi N mosfet akan lebih panas bila dipasang di sisi tinggi akan lebih panas, karena tegangan gate dan pengisian belum sempurna, akibatnya Resistansi mosfet akan naik dan timbul panas yang berlebih. Metode yang mampu mengimbangi low side driver dengan duty cycle 1-99% dengan kecepatan tinggi dan kecepatan rendah second-Megahertz hanya dengan metode low side driver dengan isolasi power suply. Sedangkan isolasi signal menggunakan capacitor. Untuk isolasi dengan optocoupler memiliki kelemahan delay yang lebih lama. Metode yang saya coba sebelumya isolasi gate dengan capacitor dengan konfigurasi low side. Metode tersebut mampu bekerja untuk kecepatan tinggi dan kecepatan rendah, Namun memiliki kelemahan pada drop tegangan yang tinggi. Dikarenakan pengisian gate ampere dan tegangan belum sesuai. Sedangkan metode bootsrap capacitor memang murah tetapi memiliki kelemahan tidah mampu untuk duty cycle dengan rentang variasi yang jauh. Misalnya aplikasi membutuhkan wide bangap (Rentang frekuensi yang luas), akan keteteran jika menggunakan bootstrap. Contoh aplikasi lain misalnya suatu saat kita butuh switching dengan frekuensi detik, tiba2 kita butuh 200khz, maka perhitungan capacitor akan kesulitan diaplikasikan.

Drive Mosfet High Side memakai capacitor (CAPACITIVE DC-ISOLATED GATE DRIVER)

Mendrive mosfet pada sisi high side, terutama untuk N-Chanel memiliki tingkat kesulitan yang lebih tinggi dibandingkan dengan mendrive pada sisi low side. Pada gambar diatas saya mencoba mendrive mosfet dengan prinsip menggunakan kapacitor low ESR untuk mendrive N mosfet. Ada banyak metode memang. Ada bootstrap, transformer isolation signal carrier, transformer isolation suply, transformer isolation signal carrier suply, charge pump dll.
Kali ini circuit sudah saya coba memakai PWM signal arduino uno dengan duty cycle 5%-95% dan on off dengan delay beberapa detik dan milisecond delay. Dan mampu bekerja. Kelemahan yang ada adalah peningkatan Rds on mosfet jadi berubah menjadi lebih tinggi. Ini dikarenakan tegangan gate masih terlalu rendah, Masih dalam tahap saturation dan on mosfet(belum totally turn on). Nilai capacitor harus tebih tinggi dari Input capacitance mosfet (Ciss). Jenis dioda yang dipakai, 1N4148, sedangkan bila ingin memfungsikan dioda sekaligus proteksi mosfet dari over voltage, bisa diganti dengan zener 15volt. Referensi awal memakai skotky dioda, Namun setelah saya coba dan baca datasheet, sifat dioda tersebut memiliki reverse current yang lebih tinggi bila dibandingkan dengan dioda yang lain. Sehingga saya memilih dioda zener dengan rating 500mA 15Volt atau 18 Volt.  Dioda disini berfungsi sebagai start up charging capacitor berfungsi sebagai jalur kutup negatip dari capacitor saat charging awal untuk mendapatkan tegangan dengan level yang lebih tinggi dari gate treshold (Vgs) mosfet. Sesudah tegangan tercapai, driver baru bisa bekerja dengan baik. Saya coba akali dengan menseries capacitor untuk mnurunkan ESR namun konsekuensi discharge dari capacitor akan menyisakan tegangan pada capacitor selain yang berhubungan dengan driver mosfet. Jadi kondisi mosfet tidak totally turn off. Menyisakan tegangan pada saat turn off. Kelebihan bila menseries capacitor adalah tegangan sisa capacitor berfungsi seperti battery sehingga tegangan tresshold mosfet bisa tercapai/terlewati. Akibatnya Rds on akan sama rendahnya dengan drive mosfet normal pada low side. Dapat diakali dengan memilih mosfet dengan gate treshold yang lebih tinggi sehingga tegangan sisa dari capacitor tidak mempengaruhi mosfet sehingga bisa totally turn off. Penambahan induktor bisa bila ingin membuat resonant gate drive, namun frekuensi harus cukup tinggi, biasanya diatas 500khz. Part yang krusial lain yaitu resistor untuk discharge, diusahakan seminimal mungkin, untuk meminimalisir power disipasi dari mosfet driver. Hanya sedikit modifikasi dari circuit saya peroleh referensi dari (CAPACITIVE DC-ISOLATED GATE DRI VER – THE
CONCEPT,)Alon Blumenfeld, Alon Cervera, and Shmuel (Sam) Ben-Yaakov

Penambahan New PCB Package 2 axis di Proteus (Addition of New PCB Package 2 axis in Proteus)

Khusus Trafo dan induktor trough hole, di proteus memang sangat minim. Kali ini saya akan ulas bagaimana cara menambahkan library custom khusus trafo dan induktor. Pertama ambil package relay omron pada sheet lay out PCB. Selanjutnya decompose pcb package. Lalu kita buat pcb package sesuai datasheet. Ukuran bisa kita chek. keterbatasan toolbar drawing bisa diakali dengan import part .3ds dari google skecth-up. Namun kali ini saya hanya berfokus melalui software langsung. Buat kaki dengan toolbar penambahan lubang seperti biasa. ukur jarak antar lubang dan ukuran body komponen. Untuk ukuran tinggi trafo dan tinggi assembling dari PCB, bisa diedit pada saat making new package. Sedangkan ukuran panjang dan lebar bomponen bisa diperoleh dari mendrag garis dari body relay tsb. Atau bila bentuk trafo ada lengkungan bisa membuat dan menambahkan lingkaran baru. Kelemahan toolbar di drawing proteus pada saat membuat komponen misalnya kita tidak bisa membuat lubang ditengah solid body dari part(extrude cut). Sedangkan untuk membuat induktor bulat bisa diperoleh dengan mendekompose pcb package dari ceramic disc, pada konfigurasi berdiri, edit ukuran pada saat membuat new package. Untuk konfigurasi tidur bisa dibuat dengan package relay. Dengan cara mendele garis body relay dan membuat lingkaran. Yan paling penting dari membuat PCB packae adalah jarak antar lubang komponen. Pastikan sesuai dengan ukuran fisik benda. Chek dimensi menggunakan toolbar dimensi. Untuk yang belum familiar dengan inchi, bisa merubah satuan ke mm, dengan cara mengklik mm pada toolbar atas. Setelah lubang sesuai pastikan juga ukuran body komponen juga sesuai, sehingga tidak bertabrakan dengan part lain saat assembly/ perakitan nanti. Untuk jumlah kaki bisa kita tambahkan dengan  mengklik drill toolbar.Supaya presisi, setting toolbar snap/view ke 1mm atau 0.5mm. untuk membuat pelurusan antar lubang, bisa didapat dengan control+a (alignment), ada option center vertikal, horizontal, dll. Berikut contoh hasil jadi trafo dan induktor simpel.

Claim Fastest Gan Fet driver 2016

SAN DIEGO – July 12, 2016 – Peregrine Semiconductor Corp., founder of RF SOI (silicon on insulator) and pioneer of advanced RF solutions, introduces the word’s fastest gallium nitride (GaN) field-effect transistor (FET) driver, the UltraCMOS® PE29100. Built on Peregrine’s UltraCMOS technology, this new GaN driver empowers design engineers to extract the full performance and speed advantages from GaN transistors. Designed to drive the gates of a high-side and a low-side GaN FET in a switching configuration, the PE29100 delivers the industry’s fastest switching speeds, shortest propagation delays and lowest rise and fall times to AC-DC converters, DC-DC converters, class D audio amplifiers and wireless charging applications.

Peregrine Semiconductor unveils the world’s fastest gallium nitride (GaN) field-effect transistor (FET) driver, the UltraCMOS® PE29100.

GaN-based FETs are disrupting the power conversion market and are displacing silicon-based metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Compared to MOSFETs, GaN FETs operate much faster and have higher switching speeds in the smallest possible volume. The promise of GaN is that it can dramatically reduce the size and weight of any power supply. To reach their performance potential, these high-performance GaN transistors need an optimized gate driver. This FET driver must charge and discharge gate capacitance as fast as possible, and it must have very low propagation delay to allow fast signals. It also must avoid “shoot through” by not turning on high-side and low-side FETs at the same time. The PE29100 is designed specifically for this purpose.

“Our enhancement-mode GaN (eGaN®) transistors deliver a whole new spectrum of performance compared to MOSFETs,” says Alex Lidow, Ph.D., CEO and co-founder at EPC. “GaN FET drivers, like Peregrine’s UltraCMOS PE29100, enable design engineers to unlock the true potential of eGaN FET technology. The availability of the PE29100 further enhances our ability to deliver the best possible solution into the power conversion market where size, efficiency and simple design are critical.”

Peregrine’s UltraCMOS technology platform is the driving force behind the PE29100’s industry- leading speed. The technology enables integrated circuits to operate at much faster speeds than conventional CMOS technologies. It empowers Peregrine to manufacture a GaN FET driver with the industry’s shortest propagation delays, the lowest rise and fall times and the fastest switching speeds. This speed advantage results in significantly smaller power converters, which benefits the design engineer with increased power density.

“Design engineers are increasingly using GaN transistors for applications where higher switching frequency and high power is required,” says Mark Moffat, director of Peregrine’s power management product line. “However, the currently available gate drivers and controllers do not support the full potential of GaN. With the enabling power of UltraCMOS technology, the PE29100 achieves the industry’s fastest switching speeds at frequencies higher than competing products. By enabling GaN to reach its performance potential, UltraCMOS technology is enabling power innovation.”

Manufactured on a truly insulating substrate, UltraCMOS technology has no bulk or well junctions, and therefore has low parasitics. UltraCMOS technology also has low on-resistance for improved efficiency and low off-capacitance at higher operating frequency.

Features, Packaging, Price and Availability
The UltraCMOS PE29100 is a half-bridge GaN FET driver with internal dead-time control. The high-speed driver operates up to 33 MHz and handles voltages up to 80V. It delivers a short propagation delay of 8 ns. It has a rise time of 2.5 ns and fall time of 1.8 ns when driving a 1000 pF load and 1 ns rise and fall times with 100 pF load. The PE29100 has a one-pin, single-phase input mode and has an output source current of 2A and an output sink current of 4A.

Volume-production parts, samples and evaluation kits are available now. Offered as a 2 x 1.6 mm flip-chip die, the PE29100 is $1.80 each for 1k-quantity orders.

ABOUT PEREGRINE SEMICONDUCTOR
Peregrine Semiconductor Corporation, a Murata company, is the founder of RF silicon on insulator (SOI) and is a leading fabless provider of high-performance, integrated RF solutions. Since 1988 Peregrine and its founding team have been perfecting UltraCMOS® technology—a patented, advanced form of SOI—to deliver the performance edge needed to solve the RF market's biggest challenges, such as linearity. By delivering best-in-class performance and monolithic integration, Peregrine products are the trusted choice for market leaders in automotive, broadband, industrial, Internet of Things, mobile devices, smartphones, space, test-and-measurement equipment and wireless infrastructure. A Murata company since December 2014, Peregrine holds more than 240 filed and pending patents and has shipped over 3.5 billion UltraCMOS units

Gan Fet

Electronic Specifier Editor Joe Bush spoke to Jim Witham, Chief Executive Officer of GaN Systems at electronica about the company’s offer of gallium nitride (GaN) power transistors and the role they are playing in the world’s energy reduction needs of the future.

The world is already consuming too much energy. As the global middle class grows, more energy will be required. Global warming and the resulting regulations, plus more stringent emissions standards, compound the issue. We are entering a revolution where materials and energy must be used more efficiently - meeting population and industrial energy consumption needs is not sustainable with current power system solutions. Power electronics must change.

Whenever power conversion happens, losses occur. These losses manifest themselves as waste heat, which has to be dissipated and gives rise to excess greenhouse gases. Using gallium nitride, with its much lower on-resistance, fast switching capabilities and zero reverse recovery losses, a more efficient conversion is achieved. GaN transistors are already making a difference in the consumer, data centre, industrial and transportation industries. Gallium nitride technology offers efficiency improvements over traditional silicon technology when used in high power conversion systems, thereby reducing greenhouse gas (GHG) emissions and various criteria air contaminants.

Hybrid and electric vehicles have a substantial power conversion requirement – a typical drivetrain can be switching 100kW. A typical silicon-based converter will be optimally 95% efficient – therefore having a five percent loss – or 5kW. These losses, as heat, have to be disposed of, and the current solutions involve water cooling and separate radiator systems. GaN converters can achieve 98 to 99% efficiency – a threefold reduction in losses, and thanks to GaN’s higher efficiencies, can be air-cooled. Other applications include solar, wind and smart grid and high efficiency power supply.

In addition to increased efficiency, systems that use gallium nitride require less components, are more compact and are lighter. Customers are replacing power MOSFETs and IGBTs with GaN transistors in order to reduce system size and weight by up to 5X; decrease power losses by up to 90%; reduce cost and BOM; and gain a competitive advantage.

GaN E-HEMTs (high electron mobility transistors) are being designed into a wide variety of power electronics applications. These applications include travel adapters, wireless chargers, smart home appliances, high efficiency AC/DC data centre power supplies, 48V to 1V direct converters, industrial motor drivers, distributed energy generation and storage systems, aerospace, automotive traction inverters, on-board EV battery chargers and DC/DC converters.

The properties of GaN allow for high current, high voltage and high switching frequency. This is exemplified by the lowest figure of merit (RDS(on) x QG) of all power transistor technologies available today. The ultra-fast switching capabilities with low losses, low on-resistance and superior thermal performance of GaN Systems’ devices combine to increase efficiency and power density in these applications.

At electronica GaN Systems launched a daughterboard style Evaluation Platform to help power design engineers easily evaluate the GaN E-HEMT performance in any system design, along with a universal motherboard (GS665MB-EVB). The family of four daughterboards ranging from 750W to 2,500W consists of two GaN Systems 650V GaN Enhancement mode HEMTs (E-HEMTs) and all necessary circuits, including half-bridge gate drivers, isolated power supplies and an optional heatsink to form a high performance half bridge power stage.

Low side buck

Topologi buck sangat umum dipakai pada SMPS. Umumnya memakai high side switch. namun kali ini saya aka mencoba pada sisi low side. Tingkat kesulitan memang lebih tinggi dibandingkan dengan sisi high side. Power suply harus terisolasi dari pada output. Regulasi pada sisi negatif. Membaca tegangan lebih rumit daripada high side swicth. untuk itu saya gunakan voltage devider 2Pcs pada sisi input. sedangkan outputnya tetap. Keuntungan dari memakai topologi ini adalah, mosfet N dengan Rds on rendah lebih banyak dibandingkan dengan P. Memakai mosfet N pada sisi high side akan memiliki panas yang lebih tinggi dibandingkan dengan low side. Untuk type topology yang hampir mirip adalah LLC Resonant Flyback. Perbedaan ada pada isolasi menggunakan transformer dan perhitungan resonansi. Sedangkan isolasi menggunakan capacitor 470nf.

Memakai TC4420 high speed mosfet driver (Low-Side)

TC4420 adalah IC mosfet driver yang lumayan handal dipakai untuk mendrive mosfet pada sisi low side. Saya pernah coba pada sisi high side namun gagal. Untuk menggunakan IC ini pada sisi high side perlu isolasi power suply dan isolasi signal, jadi mampu bekerja dengan baik. namun isolasi signal dengan optocoupler kelemahanya pada sisi kecepatan, maksimal sesuai kecepatan dari optocoupler. Isolasi signal bisa juga mengunakan mosfet atau transistor, dengan prinsip kerja pembagi tegangan, dengan pull down resistor sebagai acuan dari voltage devider. Jadi delay lebih lama. Kemampuan IC ini mampu mendrive mosfet sampai 10000pf atau 10n. Angka tersebut biasanya dimiliki oleh mosfet dengan rating ampere besar. Atau biasanya logic gate mosfet. IRLB series. Ada juga yang 13000pf milik IXYS100N50. Jadi driver ini memiliki kemampuan yang handal. Untuk inverting bisa memakai TC4429. Untuk membuat driver mosfet yang setara diperlukan 3 mosfet dan 2 OP-Amp, sesuai dengan block diagram IC tersebut. Mosfet logic pada intput, dan dua mosfet totem pole, N dan P pada outputnya. Saya pernah coba drive mosfet type IXYS21N50, 150N17, Irf3205, IrfZ44 dan yang terkahir IXYS100N50 (100A-500V-Pd1500W-Rdson50 mOhm). Performa terbaik IC didapat pada tegangan 15Volt. Sedangan input minimal pada 4,8Volt VCC(internal zener clamp 4,8V) Dibandingkan dengan metode bootstrap capacitor, yang lebih murah, namun memiliki keterbatasan pada tegangan input yang mendekati output dibawah 2volt (sehingga mosfet saturation).
 Pada mosfet generasi terbaru, Sic (silicon carbid) dan Gan (Galium) memiliki charging gate (Qg) atau berkaitan dengan Ciss yang rendah. Paling rendah dimiliki direct FET untuk system audio, yaitu dengan minimum gate charge, untuk menghindari ringing. Sekitar dibawah 400pf untuk Gan fet yang 5 ampere, sedangkan yang beredar di pasaran sejak lama, misalnya IRFZ44 di angka sekitar 1800pf. Itulah yang membuat mosfet Galium memiliki swiching yang sangat cepat 1-10ns. Untuk Sic mosfet, gate charge diminimalisir dibandingkan generasi sebelumnya. Namun masih diatas Gan FET untuk Cissnya sekitar 1000pf.

Menambahkan AMS1117 Pada proteus

Part baru tentu merepotkan bila tidak ada di library. Harganya murah, semakin banyak digunakan untuk power regulator linear 5V. Misalnya untuk mikrokontroler, dll.Maka kita bisa tambahkan bila packaging ada persamaan di library lama. Cara menambahkan library AMS1117 regulator arduino, yaitu dengan melakukan decompose 7805, ganti pin kaki sesuai ams 117. Selanjutnya making device, delete default packacge diganti SOT-223. Lalu making device selesai. Selamat mencoba.